一種物理氣相沉積法生長大尺寸碳化硅單晶的石墨坩堝及其應用

一種物理氣相沉積法生長大尺寸碳化硅單晶的石墨坩堝及其應用

本發明涉及一種物理氣相沉積法生長大尺寸碳化硅單晶的石墨坩堝，包括收容碳化硅原料的坩堝桶和上蓋，在所述坩堝桶的內壁上部和上蓋的外壁上設置有相互旋合的螺紋，所述上蓋和坩堝桶通過螺紋連接；在所述的坩堝桶內壁上設置有放置多孔石墨板的定位塊；在定位塊上放置有多孔石墨板，所述多孔石墨板的外徑與坩堝桶的內徑相適應。本發明有效的避免了生長過程中碳化硅原料的碳化對晶體生長造成的影響，提高晶體生長的穩定性和成功率。